美国毫米波GaN成熟,第二阶段正在计划

2020-09-16 11:35   来源: 互联网    阅读次数:2488

        美国军事研究人员要求位于加利福尼亚州马里奥的HRL实验室的集成电路专家改进用于航空航天和国防应用的射频和微波电路。

        

        (DARPA)位于弗吉尼亚州阿灵顿的国防高级研究计划局(DARPA)的官员最近宣布,为毫米波GaN成熟计划(MGM)的第二阶段,将对HRL进行840万美元的合同修订。

        

        该项目旨在改进射频和微波半导体技术,以提高器件产量,缩短工艺周期,并演示关键毫米波功率放大器和多项目晶片处理(MPW)中的混合信号电路。

        

        米高梅正在使用标准评估电路(SEC)、过程控制监视器(PCM)和短周期制造技术来确定战略产量和重复性,以确定工艺步骤的改进。

        

        在项目的第一阶段,HRL专家开始成熟他们的射频和毫米波氮化镓(GaN)半导体技术,十年前DARPANitrideElectronicsNeXt发电技术(Next)项目就证明了这一点。

        

        该项目的第二阶段旨在缩短制造周期,提高射频生产和可靠性,改进器件模型和工艺设计工具包,并提高GaN毫米波电路的制造准备水平。

        

        HRL专家将通过有针对性的工艺步骤使这一GaN技术成熟。他们将使用过程控制监视器;运行多个MPW操作;以及提高该公司位于加利福尼亚州马里奥的工厂的单芯片微波集成电路的(MMIC)设计能力。

        

        作为DARPANEXT程序的执行者,HRL开发了最先进的GaN晶体管,栅极长度为40 nm,并将ft/FMAX定标为200/400 GHz。

        

        下一步计划开发一种革命性的氮化物晶体管技术,在至少1000个晶体管的大规模电路集成中,为强生约翰逊-梅里特(JFoM)开发一种具有极高速度和高电压波动的革命性氮化物晶体管技术。

        

        该项目旨在开发制造、高产量、高一致性和高可靠性的制造工艺。该计划的重点是展示将这些器件组合成一个由大约10个晶体管组成的小逻辑电路的能力,然后再加工多达1000个晶体管。

        

        在米高梅项目的第一阶段,HRL更新了设计套件,以支持各种计算机辅助设计(CAD)工具,支持多项目振动台操作,并缩短整个制造周期以支持美国军事用户。

        

        该合同的修订使米高梅的合同总价值达到1880万美元。人力资源公司的专家将在加利福尼亚州的马里奥完成这项工作,并将于2022年9月完成。

责任编辑:fafa
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