爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证

2024-03-16 21:37   来源: 极客科技网    阅读次数:2411

新竹2024年3月15日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证,此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势,可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合,满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。

爱普科技的S-SiCap™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发,相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄,且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCap™ Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm2,操作电压最高可支持1.2V,同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Series Resistance),在高频操作下能提供优异的稳压能力。

S-SiCap™具有超薄、客制化尺寸的特色,在先进封装制程中,能满足多样整合应用并且与SoC更接近。例如:接脚侧硅电容(S-SiCap™ on the landside)、封装基板内埋硅电容(S-SiCap™ embedded in package substrate)、2.5D封装应用硅电容(S-SiCap™ for 2.5D packaging)、硅电容中介层(S-SiCap™ in an interposer)等。

爱普科技总经理洪志勋表示,在高端手机及HPC芯片的应用趋势中,SoC需提供更高的效能,但同时可能会伴随功耗增加、电压不稳的情况,客户为了稳定电压,对电容规格的要求也会提高,优化产品整体表现。爱普新一代S-SiCap™ Gen3超越传统电容,电容密度更高、更薄、应用更多元,可搭配先进封装制程大幅提升SoC效能,在目前市场上极具优势。


责任编辑:小美
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